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RDN120N25FU6

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TO-220-3 整包
數(shù)量：: 4455
說明：: MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V

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RDN120N25FU6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：500
功率耗散：40 W
柵極電荷 Qg：31 nC
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-220FN
安裝風格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.16 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
汲極/源極擊穿電壓：250 V
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RDN120N25FU6的詳細信息，包括RDN120N25FU6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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