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PTFB211501E V1 R250

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-36248-2
數量:
 6255  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9
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PTFB211501E V1 R250 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FB211501EV1R25XT PTFB211501EV1R250XTMA1 SP000707930
系列:PTFB211501
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.08 Ohms
最小工作溫度:- 40 C
封裝形式:H-36248-2
最大工作溫度:+ 125 C
閘/源擊穿電壓:10 V
漏極連續(xù)電流:1.2 A
汲極/源極擊穿電壓:65 V
配置:Single
產品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFB211501E V1 R250的詳細信息,包括PTFB211501E V1 R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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