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PTFB211803EL V1 R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-33288-6
數(shù)量：: 3276
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS 9

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PTFB211803EL V1 R250 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FB211803ELV1R25NT PTFB211803ELV1R250XTMA1 SP000812610
系列：PTFB211803
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.05 Ohms
最小工作溫度：- 40 C
封裝形式：H-33288-6
最大工作溫度：+ 125 C
閘/源擊穿電壓：10 V
漏極連續(xù)電流：1.3 A
汲極/源極擊穿電壓：65 V
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

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