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PTFA192001E V4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36248-2
數(shù)量：: 5841
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA192001E V4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FA192001EV4XP PTFA192001EV4XWSA1 SP000376070
工廠包裝數(shù)量：35
系列：PTFA192001
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：417 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
包裝形式：Tray
封裝形式：H-36248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：900 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：100 W
增益：17 dB
頻率：1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

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