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PTFA192001F V4

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 H-37248-2
數(shù)量:
 5859  
說明:
 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8
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PTFA192001F V4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:FA192001FV4XP
工廠包裝數(shù)量:40
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.05 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散:417 W
安裝風格:SMD/SMT
包裝形式:Tray
封裝形式:H-37248-2
最大工作溫度:+ 150 C
閘/源擊穿電壓:12 V
漏極連續(xù)電流:900 mA
汲極/源極擊穿電壓:65 V
輸出功率:100 W
增益:17 dB
頻率:1.93 GHz to 1.99 GHz
晶體管極性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
制造商:Infineon

以上是PTFA192001F V4的詳細信息,包括PTFA192001F V4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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