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PTFA181001F V4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-37248-2
數(shù)量：: 5715
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA181001F V4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FA181001FV4XP PTFA181001FV4XWSA1 SP000376067
工廠包裝數(shù)量：50
系列：PTFA181001
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.85 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：407 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-37248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：750 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：100 W
增益：16.5 dB
頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA181001F V4的詳細信息，包括PTFA181001F V4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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