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PTFA181001GLV1R250

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-36248-2
數(shù)量：: 2835
說(shuō)明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC

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PTFA181001GLV1R250 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

功率耗散：407 W
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
包裝形式：Reel
封裝形式：PG-36248-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：750 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：100 W
增益：16.5 dB
頻率：1.8 GHz to 1.88 GHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA181001GLV1R250的詳細(xì)信息，包括PTFA181001GLV1R250廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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