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PHN210 /T3

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 SO-8
數(shù)量：
 2097  
說明：
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PHN210 /T3-SO-8圖片

PHN210 /T3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：PHN210,118
典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHN210 /T3的詳細信息，包括PHN210 /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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