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PHN210T /T3

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SO-8
數(shù)量:
 2106  
說明:
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PHN210T /T3-SO-8圖片

PHN210T /T3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:PHN210T,118
典型關(guān)閉延遲時間:21 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:8 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 65 C
下降時間:15 ns
包裝形式:Reel - 13 in
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.1 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:NXP

以上是PHN210T /T3的詳細信息,包括PHN210T /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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