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PHKD13N03LT,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 2700
說明：: MOSFET DUAL N-CH TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET

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PHKD13N03LT,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：23 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：7 ns
功率耗散：3.57 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：10.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：NXP

以上是PHKD13N03LT,118的詳細信息，包括PHKD13N03LT,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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