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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PHKD6N02LT /T3

PHKD6N02LT /T3

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SO-8
數(shù)量：: 7776
說明：: MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHKD6N02LT /T3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PHKD6N02LT,518
典型關(guān)閉延遲時間：50 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：49 ns
功率耗散：4.17 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：23 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：10.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHKD6N02LT /T3的詳細(xì)信息，包括PHKD6N02LT /T3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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