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PHB176NQ04T,118

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 4068
說(shuō)明：: MOSFET TRENCHMOS (TM) FET

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PHB176NQ04T,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：95 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：55 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：65 ns
包裝形式：Reel - 13 in
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0043 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：NXP

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