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PHB191NQ06LT,118

廠家：
  NXP Semiconductors
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：
 4086  
說明：
 MOSFET N-CH TRENCH 55V
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PHB191NQ06LT,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：/T3 PHB191NQ06LT
典型關(guān)閉延遲時間：273 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：232 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：178 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-404
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0037 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：15 V
汲極/源極擊穿電壓：55 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHB191NQ06LT,118的詳細(xì)信息，包括PHB191NQ06LT,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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