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NVMYS4D1N06CLTWG

廠家：: onsemi
封裝：: LFPAK4（5x6）
數(shù)量：: 1809
說明：: MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4

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NVMYS4D1N06CLTWG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），79W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2200 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：34 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 80μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 50A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：22A（Ta），100A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NVMYS4D1N06CLTWG的詳細(xì)信息，包括NVMYS4D1N06CLTWG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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