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NVR1P02T1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
數(shù)量：: 14646
說明：: MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

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NVR1P02T1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：400 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-23
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：148 mOhm
漏極連續(xù)電流：- 1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

以上是NVR1P02T1G的詳細信息，包括NVR1P02T1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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