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NTD4865N-1G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 I-PAK
數(shù)量:
 2466  
說明:
 MOSFET PWR MSFT 25V 44A SINGLE N-CHNL
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NTD4865N-1G-I-PAK圖片

NTD4865N-1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:11.4 ns, 17.4 ns
上升時間:24.6 ns, 19 ns
功率耗散:1920 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:24.6 ns, 19 ns
包裝形式:Rail
封裝形式:DPAK-SL-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):10.9 mOhms
漏極連續(xù)電流:10.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:25 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTD4865N-1G的詳細信息,包括NTD4865N-1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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