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中文參數(shù)如下: 功率耗散:2.6 W 最小工作溫度:- 55 C 正向跨導 gFS(最大值/最小值) :76 S 包裝形式:Rail 封裝形式:IPAK 安裝風格:Through Hole 最大工作溫度:+ 175 C 配置:Single 電阻汲極/源極 RDS(導通):3.7 m Ohms 漏極連續(xù)電流:79 A 汲極/源極擊穿電壓:30 V 晶體管極性:N-Channel RoHS:是 產(chǎn)品種類:MOSFET 制造商:ON Semiconductor