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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NE4210S01-T1B-A

NE4210S01-T1B-A

廠家：: NEC/CEL
封裝：: SO-1
數(shù)量：: 3438
說明：: MOSFET Super Lo Noise HJFET

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NE4210S01-T1B-A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4000
功率耗散：165 mW
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：0.055 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-1
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
漏極連續(xù)電流：10 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
汲極/源極擊穿電壓：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE4210S01-T1B-A的詳細(xì)信息，包括NE4210S01-T1B-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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