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NE434S01-T1B

廠家：
  NEC/CEL
封裝：
 SO-1
數(shù)量：
 3474  
說明：
 MOSFET S01 LO NO HJ FET S01 LO NO HJ FET
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NE434S01-T1B PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：4000
功率耗散：300 mW
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：0.085 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-1
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
漏極連續(xù)電流：80 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
汲極/源極擊穿電壓：4 V
RoHS：是
制造商：NEC

以上是NE434S01-T1B的詳細(xì)信息，包括NE434S01-T1B廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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