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NE3512S02-T1D-A

廠家：: CEL
封裝：: S0-2
數(shù)量：: 3438
說明：: 射頻GaAs晶體管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET

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NE3512S02-T1D-A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

包裝形式：Tape
封裝形式：S0-2
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 125 C
漏極連續(xù)電流：70 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：55 mS
噪聲系數(shù)：0.35 dB
增益：13.5 dB
頻率：12 GHz
技術(shù)類型：HEMT
RoHS：是
產(chǎn)品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：CEL

以上是NE3512S02-T1D-A的詳細(xì)信息，包括NE3512S02-T1D-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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