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NE3515S02-T1D-A

廠家:
  CEL
封裝:
 S02
數(shù)量:
 5733  
說明:
 射頻GaAs晶體管 Super Low Noise Pseudomorphic
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NE3515S02-T1D-A-S02圖片

NE3515S02-T1D-A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝:S02
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
安裝類型:-
電壓 - 額定:4 V
功率 - 輸出:14dBm
電流 - 測試:10 mA
噪聲系數(shù):0.3dB
額定電流(安培):88mA
電壓 - 測試:2 V
增益:12.5dB
頻率:12GHz
配置:-
技術(shù):GaAs HJ-FET
產(chǎn)品狀態(tài):停產(chǎn)
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:CEL

以上是NE3515S02-T1D-A的詳細信息,包括NE3515S02-T1D-A廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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