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NE3508M04-EVNF23

廠家:
  CEL
封裝:
 FTSMM-4 (M04)
數(shù)量:
 3375  
說(shuō)明:
 射頻GaAs晶體管 SPR LW Noise Pseudo HJ FET EVAL Fixt
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NE3508M04-EVNF23 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

包裝形式:Box
P1dB:18 dBm
封裝形式:FTSMM-4 (M04)
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
功率耗散:175 mW
最大工作溫度:+ 150 C
漏極連續(xù)電流:120 mA
閘/源擊穿電壓:- 3 V
漏源電壓 VDS:4 V
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :100 mS
噪聲系數(shù):0.45 dB
增益:14 dB
頻率:2 GHz
技術(shù)類型:HEMT
RoHS:是
產(chǎn)品種類:射頻GaAs晶體管
制造商:CEL

以上是NE3508M04-EVNF23的詳細(xì)信息,包括NE3508M04-EVNF23廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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