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NE3508M04-T2-A

廠家：: CEL
封裝：: F4TSMM，M04
數(shù)量：: 3375
說(shuō)明：: 射頻GaAs晶體管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

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NE3508M04-T2-A PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：F4TSMM，M04
封裝/外殼：SOT-343F
安裝類型：-
電壓 - 額定：4 V
功率 - 輸出：18dBm
電流 - 測(cè)試：10 mA
噪聲系數(shù)：0.45dB
額定電流（安培）：120mA
電壓 - 測(cè)試：2 V
增益：14dB
頻率：2GHz
配置：-
技術(shù)：GaAs HJ-FET
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：CEL

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