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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > NDT451N

NDT451N

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-223-4
數(shù)量：: 2358
說明：: MOSFET DISC BY MFG 2/02

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NDT451N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：19 ns
上升時間：15 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.05 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDT451N的詳細(xì)信息，包括NDT451N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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