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NDT452AP_J23Z

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SOT-223
數(shù)量：: 2574
說(shuō)明：: MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode

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NDT452AP_J23Z PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時(shí)間：19 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.065 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDT452AP_J23Z的詳細(xì)信息，包括NDT452AP_J23Z廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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