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NDC631N_F095

廠家：
  Fairchild Semiconductor
封裝：
 SuperSOT-6
數(shù)量：
 1449  
說明：
 MOSFET 20V 4.1A N-CH ENHANCEMENT MODE
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NDC631N_F095-SuperSOT-6圖片

NDC631N_F095 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：25 ns
功率耗散：1600 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：25 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SuperSOT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Dual Source
漏極連續(xù)電流：4.1 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDC631N_F095的詳細(xì)信息，包括NDC631N_F095廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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