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NDC651N_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: SSOT-6
數(shù)量：: 1476
說明：: MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDC651N_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：15 ns
上升時間：19 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：19 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SSOT-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.09 Ohms
漏極連續(xù)電流：3.2 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDC651N_Q的詳細(xì)信息，包括NDC651N_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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