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MTB30P06VT4

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 D2PAK
數(shù)量:
 738  
說明:
 MOSFET 60V 30A P-Channel
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MTB30P06VT4-D2PAK圖片

MTB30P06VT4 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:98 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時間:25.9 ns
功率耗散:3 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7.9 S
下降時間:52.4 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.08 Ohms
漏極連續(xù)電流:30 A
閘/源擊穿電壓:+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是MTB30P06VT4的詳細信息,包括MTB30P06VT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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