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MTB30P06VT4G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 747
說明：: MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm

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MTB30P06VT4G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：98 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：25.9 ns
功率耗散：3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7.9 S
下降時間：52.4 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.08 Ohms
漏極連續(xù)電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MTB30P06VT4G的詳細(xì)信息，包括MTB30P06VT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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