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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：120 nS
上升時間：55 nS
功率耗散：0.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：1.43 nC
下降時間：130 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：MCPH-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10.4 Ohms at - 4 V
漏極連續(xù)電流：200 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ON Semiconductor
以上是MCH6601-TL-E的詳細信息，包括MCH6601-TL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
