中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：800mW
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：6.2pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.32nC @ 10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：22 歐姆 @ 40mA，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：140mA
漏源電壓（Vdss）：50V
FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)
配置：2 個(gè) P 溝道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi
以上是MCH6605-TL-E的詳細(xì)信息，包括MCH6605-TL-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
