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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTM12N100

IXTM12N100

廠家：: IXYS
封裝：: TO-204AA（IXTM）
數(shù)量：: 2898
說明：: MOSFET N-CH 1000V 12A TO204AA

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IXTM12N100 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4000 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：170 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.05 歐姆 @ 6A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：1000 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：GigaMOS?
系列：管件
品牌：IXYS

以上是IXTM12N100的詳細信息，包括IXTM12N100廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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