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IXTN200N10T

廠家：: Ixys
封裝：: SOT-227B
數(shù)量：: 2332
說明：: MOSFET

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IXTN200N10T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：45 ns
功率耗散：500 W
最小工作溫度：- 55 C
封裝形式：SOT-227B
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0054 Ohms
漏極連續(xù)電流：200 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
制造商：IXYS

以上是IXTN200N10T的詳細信息，包括IXTN200N10T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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