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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXTM11P50

IXTM11P50

廠家：: IXYS
封裝：: -
數(shù)量：: 2889
說明：: POWER MOSFET TO-3

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IXTM11P50 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：-
漏源電壓（Vdss）：-
技術(shù)：-
FET 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：管件
品牌：IXYS

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