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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFT15N100Q3

IXFT15N100Q3

廠家：: Ixys
封裝：: TO-268AA
數(shù)量：: 1019
說(shuō)明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A

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IXFT15N100Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：250 ns
功率耗散：690 W
柵極電荷 Qg：64 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-268
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.05 Ohms
漏極連續(xù)電流：15 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT15N100Q3的詳細(xì)信息，包括IXFT15N100Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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