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IXFT18N100Q3

廠家：: Ixys
封裝：: TO-268AA
數(shù)量：: 1053
說明：: MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

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IXFT18N100Q3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：40 ns
上升時間：32 ns
功率耗散：830 W
柵極電荷 Qg：90 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時間：13 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-268
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：660 mOhms
漏極連續(xù)電流：18 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：1000 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT18N100Q3的詳細信息，包括IXFT18N100Q3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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