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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IXFT12N90Q

IXFT12N90Q

廠家：: Ixys
封裝：: TO-268AA
數(shù)量：: 6471
說明：: MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds

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IXFT12N90Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：30
上升時間：23 ns
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：PLUS 247
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.9 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是IXFT12N90Q的詳細信息，包括IXFT12N90Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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