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ISL9N306AS3ST

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 8271
說明：: MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

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ISL9N306AS3ST PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：34 ns, 62 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時間：70 ns, 43 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：30 ns, 29 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0095 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是ISL9N306AS3ST的詳細(xì)信息，包括ISL9N306AS3ST廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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