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ISL9N307AP3

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-220AB
數(shù)量：: 7263
說明：: MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized

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ISL9N307AP3 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns, 60 ns
工廠包裝數(shù)量：400
上升時(shí)間：70 ns, 45 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：40 ns, 35 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0115 Ohms
漏極連續(xù)電流：75 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是ISL9N307AP3的詳細(xì)信息，包括ISL9N307AP3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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