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IRFHM830DTR2PBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-VQFN 裸露焊盤(pán)
數(shù)量:
 7146  
說(shuō)明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 13nC
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IRFHM830DTR2PBF-8-VQFN 裸露焊盤(pán)圖片

IRFHM830DTR2PBF PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:400
功率耗散:37 W
柵極電荷 Qg:13 nC
包裝形式:Reel
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):7.1 mOhms
漏極連續(xù)電流:40 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是IRFHM830DTR2PBF的詳細(xì)信息,包括IRFHM830DTR2PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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