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IRFHM830DTRPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-VQFN 裸露焊盤
數(shù)量：: 7155
說明：: MOSFET MOSFT 30V 40A 4.3mOhm 1.1Ohm RG

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IRFHM830DTRPBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：9.1 ns
工廠包裝數(shù)量：4000
上升時間：20 ns
功率耗散：2.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：69 S
下降時間：6.7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PQFN-8 (3x3 mm)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.3 mOhms
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRFHM830DTRPBF的詳細(xì)信息，包括IRFHM830DTRPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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