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IRFHM8363TR2PBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-PQFN 雙（3.3x3.3）
數(shù)量：: 4005
說明：: MOSFET MOSFT DUAL N-Ch q 30V 10A POL

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IRFHM8363TR2PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：12 ns
工廠包裝數(shù)量：400
上升時間：94 ns
功率耗散：2.7 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：20 S
下降時間：33 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PQFN-8 (3x3 mm Dual)
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：14.9 mOhms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是IRFHM8363TR2PBF的詳細信息，包括IRFHM8363TR2PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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