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IRFD010PBF

廠(chǎng)家:
  Vishay Semiconductors
封裝:
 4-HVMDIP
數(shù)量:
 6102  
說(shuō)明:
 MOSFET N-Chan 50V 1.7 Amp
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IRFD010PBF-4-HVMDIP圖片

IRFD010PBF PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:33 ns
功率耗散:1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:8.8 nC
下降時(shí)間:23 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:HD-1
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.2 Ohms
漏極連續(xù)電流:1.7 A
汲極/源極擊穿電壓:50 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFD010PBF的詳細(xì)信息,包括IRFD010PBF廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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