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IRFD110PBF

廠家:
  Vishay Semiconductors
封裝:
 4-DIP(0.300",7.62mm)
數(shù)量:
 38582  
說明:
 MOSFET 100V Single N-Channel HEXFET
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IRFD110PBF-4-DIP(0.300

IRFD110PBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:15 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:16 ns
功率耗散:1300 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:16 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:HexDIP-4
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):540 mOhms
漏極連續(xù)電流:1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFD110PBF的詳細(xì)信息,包括IRFD110PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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