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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFBF30L

IRFBF30L

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 5913
說明：: MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262

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IRFBF30L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.7 歐姆 @ 2.2A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：900V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：3.6A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：78nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1200pF @ 25V
功率 - 最大：125W
安裝類型：通孔

以上是IRFBF30L的詳細(xì)信息，包括IRFBF30L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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