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IRFBF30PBF

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 6902  
說明:
 MOSFET N-Chan 900V 3.6 Amp
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IRFBF30PBF-TO-220-3圖片

IRFBF30PBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:90 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:25 ns
功率耗散:125 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:78 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :2.3 S
下降時間:30 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3.7 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:900 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是IRFBF30PBF的詳細信息,包括IRFBF30PBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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