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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFBE30STRR

IRFBE30STRR

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 5949
說明：: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

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IRFBE30STRR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C3 歐姆 @ 2.5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)800V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs78nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.1A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 1300pF @ 25V
功率 - 最大125W
安裝類型表面貼裝

以上是IRFBE30STRR的詳細(xì)信息，包括IRFBE30STRR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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