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IRFBE20STRL

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 5742
說明：: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

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IRFBE20STRL-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRFBE20STRL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.5 歐姆 @ 1.1A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：1.8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：530pF @ 25V
功率 - 最大：54W
安裝類型：表面貼裝

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