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首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關(guān)變換器、穩(wěn)壓器與控制器 > IRFBE30S

IRFBE30S

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 882
說明：: MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp

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IRFBE30S-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

IRFBE30S PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：82 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：33 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：30 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：800 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFBE30S的詳細(xì)信息，包括IRFBE30S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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