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IRF6603TR1

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 DIRECTFET? MT
數(shù)量：
 1224  
說明：
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
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IRF6603TR1-DIRECTFET? MT圖片

IRF6603TR1 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：24 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：3.6 W
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Reel
封裝形式：Direct-FET MT
配置：Single Dual Drain Dual Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3.4 mOhms
漏極連續(xù)電流：27 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：International Rectifier

以上是IRF6603TR1的詳細(xì)信息，包括IRF6603TR1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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